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ROHM Semiconductor 2SCR514PHZGT100 |
€ 0,229* por unidad |
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€ 0,04* por unidad |
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Transistor digital, FDA38N30, TO-3P, 3 pines (3 ofertas) Tipo de Encapsulado = TO-3P Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Disipación de Potencia Máxima = 312 W Conteo de Pines = 3 Número de Elementos por Chip = 1 Temperatura Máxima de Funcionami... |
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€ 2,16* por unidad |
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Infineon IPG20N10S4L35AATMA1 |
€ 1,016* por unidad |
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ROHM Semiconductor 2SCR553PHZGT100 |
€ 0,248* por unidad |
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€ 0,04* por unidad |
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Transistor digital, FDB38N30U, D2PAK, 2 + Tab pines (1 oferta) Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Disipación de Potencia Máxima = 313 W Conteo de Pines = 2 + Tab Número de Elementos por Chip = 1 Temperatura Máxima de Funcionamien... |
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€ 1,55* por unidad |
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€ 6,03* por unidad |
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ROHM Semiconductor 2SCR554PHZGT100 |
€ 0,295* por unidad |
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€ 0,028* por unidad |
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Transistor digital, FDC8601, TSOT-23, 6 pines (2 ofertas) This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.Max rDS(on) = 109 mΩat VGS = 10 V, ID = 2.7 A Max... |
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€ 0,508* por unidad |
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€ 3,045* por unidad |
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ROHM Semiconductor 2SCR574D3TL1 |
€ 0,368* por unidad |
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€ 0,04* por unidad |
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Transistor digital, FDG6321C, Dual SC-70, 6 pines (2 ofertas) Tipo de Encapsulado = SC-70 Tipo de Montaje = Montaje superficial Disipación de Potencia Máxima = 300 mW Conteo de Pines = 6 Número de Elementos por Chip = 2 Temperatura Máxima de Funcionamiento = ... |
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€ 0,174* por unidad |
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