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| N.º art.:
3318E-1867149 N.º fabricante:
FDC8601 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.Max rDS(on) = 109 mΩat VGS = 10 V, ID = 2.7 A Max rDS(on) = 176 mΩat VGS = 6 V, ID = 2.1 A High performance trench technology for extremely low rDS(on) High power and current handling capability in a widely used surface mount package Fast switching speed Applications This product is general usage and suitable for many different applications. Más información: | | Tipo de Encapsulado: | TSOT-23 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Disipación de Potencia Máxima: | 1.6 W | Conteo de Pines: | 6 | Número de Elementos por Chip: | 1 | Dimensiones: | 3 x 1.7 x 1mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Longitud: | 3mm | Temperatura de Funcionamiento Mínima: | -55 °C | Ancho: | 1.7mm |
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| Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, mosfet 10v, transistor smd, 1867149, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores Bipolares, onsemi, FDC8601 |
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