N.º art.: 3318E-1867377
N.º fabricante: FDA38N30
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Encapsulado = TO-3P
Más información:
Tipo de Encapsulado:
TO-3P
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Disipación de Potencia Máxima:
312 W
Conteo de Pines:
3
Número de Elementos por Chip:
1
Dimensiones:
16.2 x 5 x 18.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Longitud:
16.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Ancho:
5mm
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor de potencia ,
1867377 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Transistores Bipolares ,
onsemi ,
FDA38N30
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