Mosfet ST Microelectronics | MERCATEO (Página 5/63)

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MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTW Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuent...

ST Microelectronics

SCTWA60N120G2-4

a partir de € 24,038*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247-4 de 4 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...

ST Microelectronics

SCTWA70N120G2V-4

a partir de € 36,47*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

SCTWA70N120G2V-4

a partir de € 75,052*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 119 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = ...

ST Microelectronics

SCTWA90N65G2V-4

a partir de € 25,52*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta)

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...

ST Microelectronics

SCTWA90N65G2V-4

a partir de € 28,542*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SD2931-10W, VDSS 125 V, ID 20 A, M174 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...

ST Microelectronics

SD2931-10W

a partir de € 59,67*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SD2931-10W, VDSS 125 V, ID 20 A, M174 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

ST Microelectronics

SD2931-10W

a partir de € 70,132*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SH32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 32 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3

ST Microelectronics

SH32N65DM6AG

a partir de € 3.176,40*
por 200 unidades

MOSFET STMicroelectronics SH32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 32 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3

ST Microelectronics

SH32N65DM6AG

a partir de € 15,979*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SH68N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 64 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 64 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3

ST Microelectronics

SH68N65DM6AG

a partir de € 5.291,80*
por 200 unidades

MOSFET STMicroelectronics SH68N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 64 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 64 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3

ST Microelectronics

SH68N65DM6AG

a partir de € 26,64*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

ST Microelectronics

STB100N10F7

a partir de € 1,225*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

ST Microelectronics

STB100N10F7

a partir de € 9,395*
por 5 unidades

MOSFET STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics. La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capa...

ST Microelectronics

STB100N6F7

a partir de € 0,724*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

ST Microelectronics

STB100N6F7

a partir de € 4,53*
por 5 unidades

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