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Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 98 A, H2PAK-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 98 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resisten...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
a partir de € 23,476*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 98 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispos...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
a partir de € 23,473*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia d...
ST Microelectronics
SCT50N120
a partir de € 24,59*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 65 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
ST Microelectronics
SCT50N120
a partir de € 32,007*
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Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCT Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxi...
ST Microelectronics
SCT10N120
a partir de € 6,75*
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 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia d...
ST Microelectronics
SCT10N120
a partir de € 7,584*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCTWA35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTWA35N65G2V Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resisten...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
a partir de € 9,97*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCTWA35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de MOSFET de SiC de ST. El dispositivo dispone de una...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
a partir de € 10,881*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCTH50N120-7, VDSS 1.200 V, ID 55 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH50N120-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máx...
ST Microelectronics
SCTH50N120-7
a partir de € 44,422*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT30N120H, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (2 ofertas) 
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión...
ST Microelectronics
SCT30N120H
a partir de € 15,597*
por unidad
 
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Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT30N120H, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCT30N120H Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenc...
ST Microelectronics
SCT30N120H
a partir de € 16,167*
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Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT20N120AG, VDSS 1.200 V, ID 16 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de ...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
a partir de € 12,22*
por unidad
 
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Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT20N120AG, VDSS 1.200 V, ID 16 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 16 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCT Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxi...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
a partir de € 12,95*
por unidad
 
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Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT10N120H, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines (2 ofertas) 
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión...
ST Microelectronics
SCT10N120H
a partir de € 5,63*
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Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT10N120H, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCT10N120H Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenc...
ST Microelectronics
SCT10N120H
a partir de € 8,297*
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