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  Mosfet (1.387 artículos)

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MOSFET MagnaChip MDF11N60BTH, VDSS 660 V, ID 11 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
MOSFET (HV) de alta tensión. MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.
MagnaChip
MDF11N60BTH
a partir de € 6,69*
por 10 unidades
 
 envase
MOSFET ON Semiconductor NTH4L020N090SC1, VDSS 900 V, ID 116 A, TO-247-4L de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...
onsemi
NTH4L020N090SC1
a partir de € 21,116*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ON Semiconductor NTH4L020N090SC1, VDSS 900 V, ID 116 A, TO-247-4L de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...
onsemi
NTH4L020N090SC1
a partir de € 22,751*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ON Semiconductor NTH4L040N120M3S, VDSS 1.200 V, ID 54 A, TO-247-4L de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 54 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines ...
onsemi
NTH4L040N120M3S
€ 310,95*
por 30 unidades
 
 envase
MOSFET ON Semiconductor NTH4L040N120M3S, VDSS 1.200 V, ID 54 A, TO-247-4L de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 54 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines ...
onsemi
NTH4L040N120M3S
a partir de € 11,366*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ON Semiconductor NTHL022N120M3S, VDSS 1.200 V, ID 89 A, TO-247-4L de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 89 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines ...
onsemi
NTHL022N120M3S
€ 740,04*
por 30 unidades
 
 envase
MOSFET ON Semiconductor NTHL022N120M3S, VDSS 1.200 V, ID 89 A, TO-247-4L de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 89 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines ...
onsemi
NTHL022N120M3S
a partir de € 25,711*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000
a partir de € 0,11*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000
a partir de € 3,90*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
onsemi
2N7000-D26Z
a partir de € 182,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductors proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while pr...
onsemi
2N7000-D26Z
a partir de € 0,10*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000_D26Z
a partir de € 13,50*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7000TA, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000TA
a partir de € 0,078*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7002, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002
a partir de € 1,88*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002
a partir de € 0,0709*
por unidad
 
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