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MOSFET onsemi 2N7000TA, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1241310
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     2N7000TA
EAN/GTIN:
     5059042718980
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia avanzado, Fairchild Semiconductor. Tecnología resistente a avalanchas Tecnología de óxido de compuerta resistente Capacitancia de entrada inferior Carga de puerta mejorada
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
TO-92
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.3V
Disipación de Potencia Máxima:
400 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
5.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1241310, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, 2N7000TA
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