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MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1698553
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     2N7000
EAN/GTIN:
     5059042163322
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
TO-92
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.8V
Disipación de Potencia Máxima:
400 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
5.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, 1698553, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, 2N7000
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