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  IGBT (159 artículos)

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Módulo IGBT, NXH450B100H4Q2F2SG, 101 A, 1.000 V, Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 101 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2SG
€ 6.427,08*
por 36 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2PG, 73 A, 1.000 V, 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (contactos de encaje a presión sin plomo y sin (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 73 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W
onsemi
NXH300B100H4Q2F2PG
€ 6.002,496*
por 36 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH020F120MNF1PTG, Contactos de encaje a presión F1-4PACK con material de interfaz térmica (TIM) (1 oferta) 
Disipación de Potencia Máxima = 119 W
onsemi
NXH020F120MNF1PTG
€ 4.352,544*
por 28 unidades
 
 envase
Módulo de potencia inteligente, NFAM2012L5BT, N-Canal, 20 A, 1.200 V, DIP39 6 (1 oferta) 
EL ON Semiconductor NFAM2012L5BT es un módulo de potencia de inversor completamente integrado compuesto de un controlador de puerta de lado alto independiente, LVIC, seis IGBT y un sensor de temper...
onsemi
NFAM2012L5BT
€ 2.980,80*
por 90 unidades
 
 envase
IGBT, NFAQ0560R46T, 2,6 V, NFAQ (1 oferta) 
Tensión Máxima Colector-Emisor = 2,6 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 600V Tipo de Encapsulado = NFAQ
onsemi
NFAQ0560R46T
a partir de € 2.885,20*
por 400 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH040F120MNF1PTG, Contactos de encaje a presión F1-4PACK con material de interfaz térmica (TIM) (1 oferta) 
Disipación de Potencia Máxima = 74 W
onsemi
NXH040F120MNF1PTG
€ 2.782,388*
por 28 unidades
 
 envase
IGBT, NFAM0512L5BT, N-Canal, 5 A, 1.200 V, DIP, 39-Pines 6 (1 oferta) 
EL on Semiconductor NFAM0512L5BT es un módulo de potencia de inversor completamente integrado de− compuesto por un controlador de puerta de lado alto independiente, LVIC, seis IGBT y un sensor de t...
onsemi
NFAM0512L5BT
€ 2.117,88*
por 90 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta) 
Número de transistores = 2
onsemi
NXH80B120MNQ0SNG
€ 1.859,304*
por 24 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL40T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL40T65SQD
€ 1.684,80*
por 450 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NFVA25012NP2T, DIP38 (1 oferta) 
EL ON Semiconductor NFVA25012NP2T es un Advanced Auto IPM módulo que proporciona una etapa de salida de inversor de alto rendimiento y completamente equipada para vehículos híbridos y eléctricos.Te...
onsemi
NFVA25012NP2T
€ 1.661,976*
por 24 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PG, 61 A, 1.200 V, Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 61 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
€ 1.574,616*
por 24 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0SG, 61 A, 1.200 V, Contactos de soldadura Case 180AJ (sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 61 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
€ 1.574,616*
por 24 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL50T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL50T65SQD
€ 1.478,25*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGHL50T65MQDTL4
€ 1.400,40*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL40T65SQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Disipación de Potencia Máxima = 1 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de C...
onsemi
AFGHL40T65SQ
€ 1.307,70*
por 450 unidades
 
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