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Módulo IGBT, NXH450B100H4Q2F2SG, 101 A, 1.000 V, Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2456987
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NXH450B100H4Q2F2SG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Módulos de contactos
Insertos de contacto
Corriente Máxima Continua del Colector = 101 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 79 W
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
101 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.000 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
79 W
Número de transistores:
2
Tipo de Encapsulado:
Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros)
Otros conceptos de búsqueda: Módulo de contactos, Módulos de insertos de contactos, Transistor de potencia, Transistores de potencia, Transistores, Transistor, módulos de contactos, 2456987, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, onsemi, NXH450B100H4Q2F2SG
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
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1 envase contiene 36 unidades (€ 178,53* por unidad)
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