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IGBT, AFGHL40T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2025670
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     AFGHL40T65SQD
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación AEC-Q101 Capacidad de corriente alta Conmutación rápida Distribución de parámetros ajustada En conformidad con RoHS
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±30.0V
Disipación de Potencia Máxima:
238 W
Número de transistores:
30
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 2025670, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, onsemi, AFGHL40T65SQD
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