VISHAY SQD10N30-330H_GE3 MOSFET, CANAL N, 300V, 10A, TO-252AA

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.275 ohm Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 10 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252AA Tensión Drenador-Fuente (Vds) 300 V Disipación de Potencia 107 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022)