NEXPERIA BSS84AKQBZ MOSFET, CANAL P, 50V, 0.27A, DFN1110D

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3.8 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 270 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN1110D Tensión Drenador-Fuente (Vds) 50 V Disipación de Potencia 420 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)