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VISHAY SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET, P-CH, 30V, 1A, SC-70


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N.º art.:
     6368-3772800
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA421DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.056 ohm Gama de Producto Trench Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SC-70 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 3.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIA421DJ-T1-GE3, 3772800, 377-2800
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