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VISHAY SIA421DJ-T1-GE3. P CHANNEL MOSFET, -30V, 12A, SC-70, Tran


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-1690158
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA421DJ-T1-GE3.
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal P Channel Gama de Producto - Disipación de Potencia 3.5 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Corriente de Drenaje Continua Id 1 A Encapsulado del Transistor SC-70 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Unlimited Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.056 ohm Calificación - Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Surface Mount Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIA421DJ-T1-GE3., 1690158, 169-0158
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