ONSEMI NVBLS0D5N04CTXG MOSFET CANAL N, 40V, 300A, 175°C, 198.4W

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 500 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 300 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor H-PSOF Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 198.4 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (14-Jun-2023)