VISHAY SIHP15N80AE-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 13A, TO-220AB

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.304 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 13 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 156 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)