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| N.º art.:
6368-3439656 N.º fabricante:
BUK763R1-60E,118 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00234 ohm Gama de Producto TrenchMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 120 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 293 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, BUK763R1-60E,118, 3439656, 343-9656 |
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