NEXPERIA PMV30ENEAR MOSFET, N-CH, 40V, 4.8A, TO-236AB

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.023 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 4.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-236AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 8.3 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)