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VISHAY SIHP12N60E-E3 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2932933
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP12N60E-E3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.32 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 147 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet 10v, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIHP12N60E-E3, 2932933, 293-2933
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