VISHAY SQJ459EP-T1_GE3 MOSFET, AUTO, CANAL P, -60V, POWERPAK SO

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0155 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 52 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 83 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)