VISHAY SQM40014EM_GE3 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 840 µohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 200 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 375 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)