ONSEMI FCP099N65S3 MOSFET, CANAL N, 650V, 30A, TO-220-3

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.079 ohm Gama de Producto SuperFET III Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 227 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (14-Jun-2023)