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| N.º art.:
6368-2747680 N.º fabricante:
SQJ409EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0058 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 60 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO-8L Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 68 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SQJ409EP-T1_GE3, 2747680, 274-7680 |
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