NEXPERIA PMV450ENEAR MOSFET, CANAL N, 60V, 0.8A, TO-236AB

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.3 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 800 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-236AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 323 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)