VISHAY SI1480DH-T1-GE3 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.161 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-363 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 2.8 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)