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VISHAY SI7658ADP-T1-GE3 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia


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N.º art.:
     6368-2335371
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI7658ADP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0018 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 60 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 5.4 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet 10v, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI7658ADP-T1-GE3, 2335371, 233-5371
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