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VISHAY SI9435BDY-T1-GE3 P CHANNEL MOSFET, Channel Type:P Channel


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-1869009
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI9435BDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Disipación de Potencia 1.3 W Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Unlimited Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Tipo de Canal P Channel Calificación - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Surface Mount Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Encapsulado del Transistor SOIC Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.033 ohm Corriente de Drenaje Continua Id 4.1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Gama de Producto -
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI9435BDY-T1-GE3, 1869009, 186-9009
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