N.º art.: 6368-1427369
N.º fabricante: IXTP3N120
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 200 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Transistor ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
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IXYS SEMICONDUCTOR ,
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1427369 ,
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