STMICROELECTRONICS STD2HNK60Z-1 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4.4 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-251AA Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 45 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.75 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)