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MOSFET onsemi RFD16N06LESM9A, VDSS 60 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8022146
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     RFD16N06LESM9A
EAN/GTIN:
     5059042304589
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
47 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
90 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +10 V
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de efecto de campo, 8022146, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, RFD16N06LESM9A
Resumen de condiciones1
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
Imagen
Artículo
Fabricante/N.º
Precio
Accesorios
Transformador de corriente EPCOS B828, entrada 20A, ratio: 20:1, dim. 8,13 x 7,11 x 5,08 mm
Epcos
B82801B0205A100
a partir de € 4,377*
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