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MOSFET onsemi FDT439N, VDSS 30 V, ID 6.3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-6710781
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDT439N
EAN/GTIN:
     5059042847444
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
6.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-223
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
72 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
3000 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, 6710781, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDT439N
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