N.º art.: 6368-1471058
N.º fabricante: FDT439N
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.038 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 6.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-223 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 3 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 670 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia ,
MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
transistor de efecto de campo ,
Discretos ,
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Semiconductores ,
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Transistors ,
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FDT439N ,
1471058 ,
147-1058
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