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MOSFET onsemi RFD14N05LSM, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-3257619
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     RFD14N05LSM
EAN/GTIN:
     5059042635133
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
50 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
100 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
48 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-10 V, +10 V
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de efecto de campo, 3257619, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, RFD14N05LSM
Resumen de condiciones1
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Tipo
Imagen
Artículo
Fabricante/N.º
Precio
Accesorios
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B82801B0205A100
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