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MOSFET ROHM R6007END3TL1, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1776676
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6007END3TL1
EAN/GTIN:
     5059045484448
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
El MOSFET de alimentación R6007END3 es adecuado para fuentes de alimentación de conmutación.Baja resistencia de encendido. Velocidad de conmutación rápida. Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos. Uso paralelo sencillo. Chapado sin plomo
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
R6007END3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
620 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
78 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
6.8mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1776676, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, R6007END3TL1
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