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MOSFET onsemi FCD7N60TM, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-9034131
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FCD7N60TM
EAN/GTIN:
     5059042735505
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad. Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
SuperFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
600 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
83 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 9034131, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FCD7N60TM
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