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MOSFET Toshiba TK8S06K3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1712429
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     TK8S06K3L
EAN/GTIN:
     5059041787031
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Automoción Controladores para motor Convertidores dc-dc Reguladores de tensión de conmutación Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 43 mΩ (típ) (VGS = 10 V) Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 60 V) Modo de mejora: Vth = 2,0 a 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
80 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
25 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, 1712429, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, TK8S06K3L
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 608,00*
1 envase contiene 2.000 unidades (€ 0,304* por unidad)
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