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MOSFET Toshiba SSM6N35FE, VDSS 20 V, ID 180 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1712408
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     SSM6N35FE
EAN/GTIN:
     5059041787864
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
mosfet 10v
Accionamiento de 1,2 V N-ch 2 en 1 Baja resistencia de conexión: Ron = 20 Ω (máx) (a VGS = 1,2 V) Ron = 8 Ω (máx) (a VGS = 1,5 V) Ron = 4 Ω (máx) (a VGS = 2,5 V) Ron = 3 Ω (máx) (a VGS = 4,0 V)
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
180 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-563
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
20 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±10 V
Longitud:
1.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: transistor mosfet, 1712408, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, SSM6N35FE
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 188,00*
1 envase contiene 4.000 unidades (€ 0,047* por unidad)
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