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MOSFET Toshiba TPW4R50ANH, VDSS 100 V, ID 92 A, DSOP de 8 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
MOSFET Toshiba TPW4R50ANH, VDSS 100 V, ID 92 A, DSOP de 8 pines, , config. Simple
N.º art.:
     3318E-1712212
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     TPW4R50ANH
EAN/GTIN:
     5059041788298
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Convertidores dc-dc Reguladores de tensión de conmutación Controladores para motor Conmutación de alta velocidad Carga de puerta pequeña: QSW = 22 nC (típ.) Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 3,7 mΩ (típ) (VGS = 10 V) Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 100 V) Modo de mejora: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
92 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
DSOP
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
4,5 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
142 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, 1712212, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, TPW4R50ANH
Resumen de condiciones1
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Precio
€ 9.085,00*
1 envase contiene 5.000 unidades (€ 1,817* por unidad)
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