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  Transistor de efecto de campo de unión  (150 ofertas entre 5.838.369 artículos)

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"Transistor de efecto de campo de unión"

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ONSEMI NSVJ3557SA3T1G JFET, 15V, 0.032A, 150°C (1 oferta) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx 15 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -1.5 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura ...
onsemi
NSVJ3557SA3T1G
a partir de € 0,80*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-JFET; unipolar; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: SMD Carcasa: SC59 Corriente de entrada: 10mA Corriente del drenaje: 1,4mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,1W Polarización: unipolar Clase de empaquetado: c...
Toshiba
2SK208-O(TE85L,F)
a partir de € 0,167*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI NSVJ2394SA3T1G JFET, 15V, 0.032A, 150°C (1 oferta) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx 15 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -1.5 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura ...
onsemi
NSVJ2394SA3T1G
a partir de € 0,82*
por 5 unidades
 
 envase
ONSEMI NSVJ5908DSG5T1G JFET, -15V, 0.032A, 150°C, MCPH (2 ofertas) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx -15 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -1.5 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura...
onsemi
NSVJ5908DSG5T1G
a partir de € 1,44*
por 5 unidades
 
 envase
ONSEMI NSVJ3910SB3T1G JFET, AEC-Q101, -25V, 0.04A, 150°C (1 oferta) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx -25 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -1.8 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura...
onsemi
NSVJ3910SB3T1G
a partir de € 1,235*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Corriente de entrada: 50mA Corriente del drenaje: 20mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,25W Polarización: unipolar Clase de empaquetado: c...
onsemi
BSR57
a partir de € 0,105*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI NSVJ6904DSB6T1G JFET, -25V, 0.04A, 150°C, CPH (2 ofertas) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx -25 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -1.8 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura...
onsemi
NSVJ6904DSB6T1G
a partir de € 0,332*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: SMD Carcasa: SC59 Corriente de entrada: 10mA Corriente del drenaje: 14mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,15W Polarización: unipolar Clase de empaquetado: c...
Toshiba
2SK209-BL(TE85L,F)
a partir de € 0,20*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA 2SK208-GR(TE85L,F) TRANSISTOR, JFET, 50V, 0.1W, TO-236 (2 ofertas) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx 50 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente 5 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Temperatura de Funcionamiento Máx. 125 °C Encapsulado del Transistor TO-23...
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
a partir de € 0,56*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0,1W; TO92S; Igt: 10mA (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO92S Corriente de entrada: 10mA Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 10mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,1W Polarizaci...
NTE Electronics
NTE2917
a partir de € 1,09*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 20mA; 0,35W; TO92; Igt: 30mA (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO92 Corriente de entrada: 30mA Tensión drenaje-fuente: 25V Corriente del drenaje: 20mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,35W Polarizaci...
NTE Electronics
NTE451
a partir de € 1,38*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Corriente de entrada: 50mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,225W Polarización: unipolar Clase de empaquetado: cinta;bobina Tensión puerta-...
onsemi
MMBF4117
a partir de € 0,138*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 20mA; 0,2W; TO106; Igt: 10mA (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO106 Corriente de entrada: 10mA Tensión drenaje-fuente: 25V Corriente del drenaje: 20mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,2W Polarizaci...
NTE Electronics
NTE132
a partir de € 2,83*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 15mA; 0,3W; TO72; Igt: 10mA (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO72 Corriente de entrada: 10mA Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 15mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,3W Polarizació...
NTE Electronics
NTE452
a partir de € 6,95*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 3mA; 0,31W; TO92; Igt: 10mA (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO92 Corriente de entrada: 10mA Tensión drenaje-fuente: 25V Corriente del drenaje: 3mA Tipo de transistor: N-JFET Poder disipado: 0,31W Polarizació...
NTE Electronics
NTE457
a partir de € 1,70*
por unidad
 
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