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  Transistor de efecto de campo de unión  (150 ofertas entre 5.838.709 artículos)

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"Transistor de efecto de campo de unión"

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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; en cascada; 650V; 62A (1 oferta) 
Fabricante: Qorvo (UnitedSiC) Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 62A Resistencia en estado de transferencia: 27mΩ Tipo de transistor: N-JFET/N-MOSFET ...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K4S
a partir de € 48,79*
por unidad
 
 unidad
Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Puerta-Fuente = -50 V Tipo de Encapsulado = S-MINI Conteo de Pines = 3
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
a partir de € 0,132*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; en cascada; 650V; 62A (1 oferta) 
Fabricante: Qorvo (UnitedSiC) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 62A Resistencia en estado de transferencia: 30mΩ Tipo de transistor: N-JFET/N-MOSFET ...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030K3S
a partir de € 27,00*
por unidad
 
 unidad
Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Puerta-Fuente = -50 V Tipo de Encapsulado = S-MINI Conteo de Pines = 3
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
a partir de € 0,296*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; en cascada; 650V; 47A (1 oferta) 
Fabricante: Qorvo (UnitedSiC) Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia: 27mΩ Tipo de transistor: N-JFET/N-MOSFET Po...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
a partir de € 33,13*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI MCH5908H-TL-E JFET, -15V, 0.032A, 150°C, SC-88A (1 oferta) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx -15 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -1.5 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura...
onsemi
MCH5908H-TL-E
a partir de € 1,08*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor JFET, 2SK2145-BL(TE85L,F), N-Canal, SMV, 5-Pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Puerta-Fuente = -50 V Tipo de Encapsulado = SMV Conteo de Pines = 5
Toshiba
2SK2145-BL(TE85L,F)
a partir de € 0,437*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; en cascada; 650V; 62A (1 oferta) 
Fabricante: Qorvo (UnitedSiC) Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 62A Resistencia en estado de transferencia: 27mΩ Tipo de transistor: N-JFET/N-MOSFET ...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030T3S
a partir de € 27,18*
por unidad
 
 unidad
Amplificadores operacionales TL064CD JFET de baja potencia, 36 V 1MHZ SOIC, 14 Pin pines (1 oferta) 
Tipo de Amplificador = JFET de baja potencia Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de Encapsulado = SOIC Tipo de Fuente de Alimentación = Doble Número de Canales por Chip = 4 Conteo de Pines =...
Texas Instruments
TL064CD
a partir de € 0,742*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI MMBF5103 JFET, N CHANNEL, -40V, SOT-23-3 (1 oferta) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx -40 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -2.7 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura...
onsemi
MMBF5103
a partir de € 0,0795*
por unidad
 
 unidades
Transistor JFET, 2SK2145-BL(TE85L,F), N-Canal, SMV, 5-Pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Puerta-Fuente = -50 V Tipo de Encapsulado = SMV Conteo de Pines = 5
Toshiba
2SK2145-BL(TE85L,F)
a partir de € 0,204*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; en cascada; 650V; 62A (1 oferta) 
Fabricante: Qorvo (UnitedSiC) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 62A Resistencia en estado de transferencia: 27mΩ Tipo de transistor: N-JFET/N-MOSFET ...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K3S
a partir de € 45,47*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI MMBFJ112 JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3 (1 oferta) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx -35 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -5 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura d...
onsemi
MMBFJ112
a partir de € 0,123*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12,5A; Idm: 23A (2 ofertas) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SM...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
a partir de € 7,94*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI MMBFJ202 JFET, N CHANNEL, -40V, SOT-23-3 (4 ofertas) 
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx -40 V Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente -4 V Tipo de Canal Canal N Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Temperatura d...
onsemi
MMBFJ202
a partir de € 0,0719*
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