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  MOSFET  (23.987 ofertas entre 5.834.098 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 148ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 76A Resistencia en estado de transferencia: 44mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXTA76N25T
a partir de € 3,04*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMA86551L MOSFET, CANAL N, 60V, 7.5A, MICROFET-6 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pin...
onsemi
FDMA86551L
a partir de € 0,461*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB044N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 174 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 174 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resiste...
Infineon
IPB044N15N5ATMA1
a partir de € 5,673*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 166ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 60mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTP50N25T
a partir de € 2,60*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMT80060DC MOSFET, CANAL N, 60V, 292A, PQFN (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 870 µohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
onsemi
FDMT80060DC
a partir de € 3,88*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 48mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 38...
onsemi
FDPF51N25
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi FDMC007N08LCDC, VDSS 80 V, ID 22 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 22 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PQFN8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia...
onsemi
FDMC007N08LCDC
a partir de € 1,245*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB039N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 160 A, PG-TSDSON-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 160 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TSDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB039N10N3GATMA1
€ 1.367,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
ONSEMI FDN028N20 MOSFET, CANAL N, 20V, 6.1A, 150°C, 1.5W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.023 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pi...
onsemi
FDN028N20
a partir de € 0,68*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPA95R310PFD7XKSA1, VDSS 950 V, ID 8,7 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 950 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Conteo de Pines = 3
Infineon
SP005547007
a partir de € 690,00*
por 500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8,5A; Idm: 56A; 125W; TO220 (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO220 Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 8,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
NTE Electronics
NTE2900
a partir de € 1,60*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMC012N03 MOSFET, CANAL N, 185A, 30V, PQFN (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 960 µohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
onsemi
FDMC012N03
a partir de € 1,34*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB048N15N5LFATMA1, VDSS 150 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IPB048N15N5LFATMA1
a partir de € 7,079*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 78W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 0,56Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD8N25
a partir de € 0,43*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO3PN Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 49mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 392W...
onsemi
FDA59N25
a partir de € 2,26*
por unidad
 
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