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  MOSFET  (23.987 ofertas entre 5.834.176 artículos)

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ONSEMI FDMQ8403 MOSFET, CANAL N CUµD, 100V, 6A, WDFN-12 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 100 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto PowerTrench GreenBridge Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número...
onsemi
FDMQ8403
a partir de € 1,75*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB049N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = OptiMOS™ 5 80V Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxi...
Infineon
IPB049N08N5ATMA1
a partir de € 1,451*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 140A Resistencia en estado de transferencia: 17mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 96...
IXYS
IXFX140N25T
a partir de € 8,89*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDD5N50NZTM MOSFET, N-CH, 500V, 4A, 150DEG C, 62W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.38 ohm Gama de Producto UniFET II Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Can...
onsemi
FDD5N50NZTM
a partir de € 0,347*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI FDMS007N08LC MOSFET, CANAL N, 80V, 84A, 150°C, 92.6W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0049 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pi...
onsemi
FDMS007N08LC
a partir de € 0,874*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPA70R450P7SXKSA1, VDSS 700 V, ID 10 A, TO-220 FP de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 700V CoolMOS™ P7. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pi...
Infineon
IPA70R450P7SXKSA1
a partir de € 0,399*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4,7A; Idm: 29,6A; 55W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 4,7A Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 55W...
onsemi
FQD9N25TM-F080
a partir de € 0,57*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB020N10N5LFATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, PG-TO263-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 176 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = SMD
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1
a partir de € 6,416*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMS3660S MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, POWER 56-8 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión D...
onsemi
FDMS3660S
a partir de € 0,986*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB057N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 45 A, TO-263 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-263 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Mo...
Infineon
IPB057N06NATMA1
a partir de € 0,645*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 170A Resistencia en estado de transferencia: 7,4mΩ Tipo de transis...
IXYS
IXFH170N25X3
a partir de € 12,45*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 177ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 240A Resistencia en estado de transferencia: 5mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXFK240N25X3
a partir de € 22,05*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de cone...
onsemi
FDMS4D0N12C
a partir de € 2,011*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPA70R750P7SXKSA1, VDSS 700 V, ID 6,5 A, TO-220 FP de 3 pines (1 oferta) 
La serie MOSFET Infineon 700V Cool MOS™ P7 de súper unión se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias ...
Infineon
IPA70R750P7SXKSA1
a partir de € 0,581*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 104W; ISO247™; 120ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISO247™ Tiempo de disponibilidad: 120ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 44A Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXFJ80N25X3
a partir de € 7,85*
por unidad
 
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