MOSFET | MERCATEO (Página 705/963)

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Infineon IPD70R1K4P7S transistore 700 V (2 ofertas)

Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1

a partir de € 0,19*
por unidad

MOSFET onsemi NVMYS025N06CLTWGOS, VDSS 60 V, ID 21 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de auto...

onsemi

NVMYS025N06CLTWG

a partir de € 1,495*
por 5 unidades

Infineon IPDD60R190G7 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPDD60R190G7XTMA1

a partir de € 1,275*
por unidad

Infineon BSC057N03LS G transistore 25 V (2 ofertas)

Infineon

BSC057N03LSGATMA1

a partir de € 0,288*
por unidad

MOSFET onsemi NVMYS5D3N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 71 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas)

onsemi

NVMYS5D3N04CTWG

a partir de € 1,80*
por 5 unidades

MOSFET onsemi NVMYS7D3N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 52 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 52 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Re...

onsemi

NVMYS7D3N04CLTWG

a partir de € 1,565*
por 5 unidades

ONSEMI NVS4409NT1G MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 25V, SOT-323 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.249 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...

onsemi

NVS4409NT1G

a partir de € 0,845*
por 5 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; 0,6W; SOT23 (1 oferta)

Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 5,8A Resistencia en estado de transferencia: 28mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...

Diodes

DMN3023L-7

a partir de € 0,44*
por 5 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2,3W; WSON6; 2x2mm (1 oferta)

Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: SMD Carcasa: WSON6 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 35,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...

Texas Instruments

CSD87502Q2T

a partir de € 0,65*
por unidad

ONSEMI NVTFS003N04CTAG MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V/103A, 69W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0029 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...

onsemi

NVTFS003N04CTAG

a partir de € 0,634*
por unidad

Infineon IPD80R1K2P7 transistore 800 V (2 ofertas)

Infineon

IPD80R1K2P7ATMA1

a partir de € 0,425*
por unidad

Infineon BSO150N03MD G transistore 60 V (2 ofertas)

Infineon

BSO150N03MDGXUMA1

a partir de € 0,359*
por unidad

MOSFET onsemi NVTFS4C02NTAG, VDSS 30 V, ID 28,3 A, WDFN de 8 pines (2 ofertas)

El MOSFET DE on Semiconductor de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano 3x3mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. La opción de flanco...

onsemi

NVTFS4C02NTAG

a partir de € 0,839*
por unidad

ONSEMI NVTFS4C05NWFTAG MOSFET, CANAL N, 30V, 102A, 175°C, 68W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0029 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...

onsemi

NVTFS4C05NWFTAG

a partir de € 0,681*
por unidad

ONSEMI NVMFS4C03NT1G MOSFET, CANAL N, 30V, 159A, 175°C, 77W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0014 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...

onsemi

NVMFS4C03NT1G

a partir de € 0,949*
por unidad

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