MOSFET | MERCATEO (Página 686/962)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125mA; Idm: 0,8A (1 oferta)

Fabricante: NEXPERIA Montaje: SMD Carcasa: SOT23;TO236AB Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 0,125A Resistencia en estado de transferencia: 9,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Polariza...

Nexperia

NX3020NAK,215

a partir de € 0,116*
por 5 unidades

ONSEMI NCV8440ASTT1G MOSFET, AEC-Q100, CANAL N, 55V, SOT-223 (2 ofertas)

Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.095 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superfic...

onsemi

NCV8440ASTT1G

a partir de € 0,362*
por unidad

ONSEMI FQD2N90TM MOSFET, CANAL N, 900V, 1.7A, TO-252 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 5.6 ohm Gama de Producto QFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...

onsemi

FQD2N90TM

a partir de € 0,48*
por unidad

ONSEMI FQD6N40CTM MOSFET, N CH, 400V, 4.5A, TO-252-3 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.83 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

onsemi

FQD6N40CTM

a partir de € 0,494*
por unidad

Infineon IPB60R180P7 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPB60R180P7ATMA1

a partir de € 1,117*
por unidad

MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263 (2 ofertas)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 211 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IPBE65R050CFD7AATMA1

a partir de € 6,053*
por unidad

ONSEMI FQT1N60CTF-WS MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3 (3 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 9.3 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...

onsemi

FQT1N60CTF-WS

a partir de € 0,223*
por unidad

Infineon IPB60R299CPA transistore 600 V (1 oferta)

Infineon

IPB60R299CPAATMA1

€ 1.516,00*
por 1.000 unidades

MOSFET onsemi NTB011N15MC, VDSS 150 V, ID 75,4 A., D2PAK (TO-263) de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75,4 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = NTB01 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dr...

onsemi

NTB011N15MC

a partir de € 1,95*
por unidad

Infineon IPC100N04S5-1R9 transistore 40 V (1 oferta)

Infineon

IPC100N04S51R9ATMA1

€ 3.185,00*
por 5.000 unidades

ONSEMI HUF75639G3 MOSFET, N CH 56A 100V TO247 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor O...

onsemi

HUF75639G3

a partir de € 1,67*
por unidad

ONSEMI HUF76407D3ST MOSFET, CANAL N, 60V, 11A, 175°C, 38W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.077 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...

onsemi

HUF76407D3ST

a partir de € 0,393*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13,3A; 2,5W; SO8 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 13,3A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2,5W Polarización: unipolar Clase d...

Infineon

IRF7809AVTRPBF

a partir de € 3,94*
por 10 unidades

ONSEMI NTB25P06T4G MOSFET, CANAL P, -60V, -27.5A, TO-263 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.07 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

onsemi

NTB25P06T4G

a partir de € 0,949*
por unidad

Infineon IPC100N04S5L-1R5 transistore 40 V (1 oferta)

Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1

€ 3.870,00*
por 5.000 unidades

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