MOSFET | MERCATEO (Página 340/962)

Imagen

Artículo

Fabricante/N.º

Precio

Realizar un pedido

VISHAY SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET, P-CH, 20V, 5.97A, TSOP6 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.05 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...

Vishay

SI3443CDV-T1-GE3

a partir de € 0,138*
por unidad

VISHAY SI3460DDV-T1-GE3 MOSFET,N CH,D-S,20V,7.9A,TSOP6 (3 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.023 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...

Vishay

SI3460DDV-T1-GE3

a partir de € 0,545*
por 5 unidades

VISHAY SI4946BEY-T1-E3 DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC (3 ofertas)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds C...

Vishay

SI4946BEY-T1-E3

a partir de € 0,48*
por unidad

MOSFET Infineon IRLL2705TRPBF, VDSS 55 V, ID 5,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fac...

Infineon

IRLL2705TRPBF

a partir de € 8,98*
por 20 unidades

MOSFET Vishay SI3477DV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SI3477DV-T1-GE3

a partir de € 0,307*
por unidad

Infineon IRFP4768 transistore 250 V (2 ofertas)

Infineon

IRFP4768PBF

a partir de € 3,715*
por unidad

VISHAY SI5457DC-T1-GE3 MOSFET, P-CH, 20V, 6A, 1206 CHIPFET (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.03 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...

Vishay

SI5457DC-T1-GE3

a partir de € 0,25*
por unidad

VISHAY SI3483DDV-T1-GE3 MOSFET, P-CHANNEL 30-V TSOP-6 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.026 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines ...

Vishay

SI3483DDV-T1-GE3

a partir de € 0,89*
por 5 unidades

MOSFET Infineon IRL6342TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...

Infineon

IRL6342TRPBF

a partir de € 0,149*
por unidad

VISHAY SI5471DC-T1-GE3 MOSFET, P-CH, 20V, 6A, 1206 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.02 ohm Gama de Producto Trench Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal...

Vishay

SI5471DC-T1-GE3

a partir de € 0,247*
por unidad

MOSFET Infineon IRLML0040TRPBF, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...

Infineon

IRLML0040TRPBF

€ 270,00*
por 3.000 unidades

VISHAY SI6415DQ-T1-GE3 MOSFET, P-CH, 30V, 6.5A, TSSOP (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Mo...

Vishay

SI6415DQ-T1-GE3

a partir de € 4,13*
por 5 unidades