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  MOSFET  (14.468 ofertas entre 5.775.751 artículos)

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NEXPERIA PSMN102-200Y,115 MOSFET, CANAL N, 200V, 21.5A, LFPAK56 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.086 ohm Gama de Producto TrenchMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines...
Nexperia
PSMN102-200Y,115
a partir de € 0,425*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV65UNER MOSFET, CANAL N, 20V, 2.8A, TO-236AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.063 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PMV65UNER
a partir de € 0,3365*
por 5 unidades
 
 envase
NEXPERIA PSMN1R0-30YLEX MOSFET, CANAL N, 30V, 275A, SOT-669 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 940 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Nexperia
PSMN1R0-30YLEX
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUC45N04S6L063HATMA1, VDSS 40 V, ID 45 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Infineon
IAUC45N04S6L063HATMA1
a partir de € 0,481*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 0,36Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 50W P...
onsemi
FQD10N20CTM
a partir de € 0,263*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV65XPER MOSFET, CANAL P, 20V, 2.8A, TO-236AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.067 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PMV65XPER
a partir de € 0,0882*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PSMN1R1-30PL,127 MOSFET, CANAL N, 30V, 120A, TO-220AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0011 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Nexperia
PSMN1R1-30PL,127
a partir de € 1,76*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV88ENER MOSFET, CANAL N, 60V, 2.2A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.088 ohm Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 P...
Nexperia
PMV88ENER
a partir de € 0,4885*
por 5 unidades
 
 envase
NEXPERIA PSMN1R3-30YL,115 MOSFET, CANAL N, 30V, 100A, LFPAK2 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00104 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Monta...
Nexperia
PSMN1R3-30YL,115
a partir de € 0,995*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUC60N04S6L030HATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1
a partir de € 0,731*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMXB350UPEZ MOSFET, CAN P, -20V, -1.2A, DFN1010D-3 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.35 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
PMXB350UPEZ
a partir de € 0,3825*
por 5 unidades
 
 envase
STMICROELECTRONICS STB80N20M5 MOSFET, CANAL N, 200V, 61A, TO-262 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto Mdmesh V Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines ...
ST Microelectronics
STB80N20M5
a partir de € 2,71*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN1R5-25MLHX MOSFET, CANAL N, 25V, 150A, 175°C, 106W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00146 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Monta...
Nexperia
PSMN1R5-25MLHX
a partir de € 0,638*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUC60N04S6N031HATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1
a partir de € 0,701*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMZ1000UN,315 MOSFET, CANAL N, 30V, 0.48A, DFN1006 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de...
Nexperia
PMZ1000UN,315
a partir de € 0,0588*
por unidad
 
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