NEXPERIA PMXB350UPEZ MOSFET, CAN P, -20V, -1.2A, DFN1010D-3

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.35 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 1.2 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN1010D Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 360 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 700 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)