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MOSFET Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, PowerPAK SO-8DC de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 421 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8DC Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Vishay
SIDR500EP-T1-RE3
a partir de € 5.655,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SIR5607DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 90,9 A, SO-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Ca...
Vishay
SIR5607DP-T1-RE3
€ 5.640,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET ROHM BSM180C12P3C202, VDSS 1.200 V, ID 180 A, Bandeja (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 180 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Bandeja Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM180C12P3C202
€ 5.639,796*
por 12 unidades
 
 envase
MOSFET ROHM BSM400D12P2G003, VDSS 1.200 V, ID 400 A, Lote (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 400 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Lote Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM400D12P2G003
€ 5.621,30*
por 4 unidades
 
 envase
Infineon
BSC160N15NS5ATMA1
€ 5.585,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Infineon IPT014N08NM5ATMA1 (1 oferta) 
MOSFET
Infineon
IPT014N08NM5ATMA1
€ 5.558,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SIDR578EP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 78 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 78 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Vishay
SIDR578EP-T1-RE3
€ 5.550,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Infineon
IRF6674TRPBF
a partir de € 5.507,616*
por 4.800 unidades
 
 envase
Infineon
IRF6646TRPBF
a partir de € 5.505,60*
por 4.800 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM089N08LCR, VDSS 80 V, ID 67 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 67 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 9 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umb...
Taiwan Semiconductor
TSM089N08LCR
€ 5.500,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NTMYS1D2N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 258 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.
onsemi
NTMYS1D2N04CLTWG
€ 5.490,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics STD65N160M9, ID 20 A, DPAK de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
STD65N160M9
a partir de € 5.475,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Toshiba TPH4R50ANH, VDSS 100 V, ID 93 A, SOP de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 93 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
Toshiba
TPH4R50ANH
€ 5.400,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon. Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS ™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérd...
Infineon
BSC030P03NS3G
€ 5.380,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon BSZ011NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 202 A, TSDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 202 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = TSDSON-8 FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Núme...
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1
€ 5.380,00*
por 5.000 unidades
 
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