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MOSFET onsemi NTMYS1D2N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 258 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1890262
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTMYS1D2N04CLTWG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
258 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
LFPAK8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,7 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.2V
Disipación de Potencia Máxima:
134 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1890262, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTMYS1D2N04CLTWG
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 5.490,00*
1 envase contiene 3.000 unidades (€ 1,83* por unidad)
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